CH32V307VCT6：我有两个超大常量数组，透视变换打表用的数组，共176k多，怎么把这两个数组存到flash非零等待区域，像stm32一样直接加const修饰那个flash就快满了
还有怎么把一些函数不要求速度的也放到非零等待区域，因为代码有点大，尽量省点
主频144MHz，不会出错吧，我看应用手册上说：“在进行 FLASH 相关操作时，强烈建议系统主频不大于 120M。”
希望官方给出详细的解释和步骤，还是CH32V307VCT6的flash大小只有那么大，那个480k是假的吗？
我晓得你是谁了
这个我也想知道，手册上的480K-flash在实际应用时，并没有用上剩下的480-256K-flash,能不能以内存管理方式直接将数据代码塞到特定内存区域
我看到例程里全都讲到了72M跑，有办法开144跑吗？
那个频率为144MHz不会出错吧，跑摄像头速度很重要，访问慢一点没关系，不会出错就行
还有我要改成128k的ram的话，是那个falsh1不能改，改ram和flash吧，如下图
对，你下载的时候还要重新配置一下应该
您好，主频设置为144MHz正常是没问题的。关于ld文件中FLASH与FALSH1的修改，一般可将FLASH1的起始地址设置为FLASH的结束地址，比如你设置FLASH设置为192K，那么FLASH1的起始地址设置为0x0030000，长度设置为480-192=288K，当然，若你设置FLASH小于256K，FLASH也可以按照例程的保持不变，也是没问题的。
请问重新设置了flash和ram大小但是芯片无法启动是什么原因？
您好，正常情况下，FLASH和RAM的大小配置只能按照规定的4种配置方式进行配置，如下图。若你有特殊需求或应用，可将具体问题通过邮箱（lzs@wch.cn）和我沟通下。
芯片手册 V2.2 中明确指出：
在进行 FLASH 相关操作时，强烈建议系统主频不大于 120M。 若实际应用一定要求使用系统主频大于 120M，需注意： 在进行非零等待区域 FLASH 和零等待区域 FLASH、用户字读写以及厂商配置字和 Boot 区域 读时，需做以下操作，首先将 HCLK 进行 2 分频（相关外设时钟也同时分频，影响需评估），FLASH 操作完成后再恢复，保证 FLASH 访问时钟频率不超过 60Mhz（FLASH_CTLR 寄存器的 bit[25]- SCKMOD 可配置 FLASH 访问时钟频率为系统时钟或系统时钟的一半，该 bit 默认配置为系统时钟 的一半）。
上面的回答中又说“您好，主频设置为144MHz正常是没问题的。”
这里有2个疑问：
1. 手册中说的是读取时？是不是写错了，CPU核心执行时就在进行读取，如果读取有问题，144MHz根本没法运行
2. 主频为144MHz时，SCKMOD 采用默认值，也即主频的一半，那么读写 FLASH 到底需不需要降低频率到120MHz？如果不降低频率，是否有安全隐患？
您好，上电时MCU会将FLASH中的代码搬运到RAM运行，若程序中没有FLASH读写相关操作，144MHz下是没有问题的；默认是系统时钟的一半，注意FLASH访问时钟不要超过60MHz，如下图标注。因此读写FLASH需要降到120MHz，建议在120MHz及以下操作。
关于FLASH操作的频率问题已解决：<=60MHz，也即系统主频<=120MHz。
“上电时MCU会将FLASH中的代码搬运到RAM运行”，手册中没有找到相关描述，此处的RAM和用户RAM是同一块区域吗？代码部分全部复制到RAM，RAM是不够的，如何理解？难道这个系列的芯片和其他单片机运行方式不同？望解释
您好，CH32V307的FLASH、RAM大小都是可配置的，几种配置方式如下。FLASH+RAM的大小就是RAM的实际大小，RAM实际大小就是320K，以64K RAM+256K FLASH分配为例，64K作为RAM的大小，256K会用于存放FLASH代码，上电后会将FLASH的程序搬到RAM运行。
