关于CH32V203 FLASH 0-31 页（4K） 将自动写保护,如何解除？
韮零后 发表于: 2023-09-12 14:31:08
1#

现在想通过APP反写boot区域(0X8000000),但是前4K自动写保护了，请问怎么解除前4K的自动锁定呢？

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TECH62 发表于: 2023-09-12 19:18:58
2#

您好，可以先解除读保护，然后通过写保护寄存器配置解除写保护，具体可参考CH32V203应用手册介绍，如下图，后续若有问题，可通过邮箱（lzs@wch.cn）和我沟通，下面链接为应用手册下载链接：

https://www.wch.cn/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html

image.png 


韮零后 发表于: 2023-09-13 08:47:12
3#

@TECH62 但是在解除读保护的时候，将导致系统自动对闪存执行整片擦除操作。那这样不就没法升级iap了吗？

TECH62 发表于: 2023-09-13 14:36:40
4#

您好，正常我们一般不会对IAP进行修改，若你想要修改，目前我想到的方法是将前4K空出来，IAP程序从4K后面开始位置存放，这样就不需要解除写保护了，可以试一试。后续若有问题，可通过邮箱（lzs@wch.cn）和我具体沟通一下


沁恒杨工 发表于: 2023-09-13 14:40:12
5#

你好是会整片擦除的。如果IAP后期有升级的需求建议可以在前4K写一个只用于跳转的程序，4K以后再写你的IAP+APP。

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