我看到例程中对dataflash操作是利用EEPROM_READ、EEPROM_ERASE、EEPROM_WRITE三个函数，针对这三个函数我有如下疑问：

1：dataflash的本质还是flash，是否存在页的概念？尤其是擦除和写的操作是，写入的数据长度必须是页的整数倍吗？还是的确做到了像EEPROM一样，可以单字节进行操作，不需要先将数据预存到RAM中。

2：函数说明无论读取、擦除和写入数据，输入地址必须是4的整数倍，则输入的数据长度是否必须是4的整数倍？

3：利用EEPROM_WRITE写入数据的时候，是否必须先要调用EEPROM_ERASE函数擦除一下。

您好，总的来讲，在应用层代码中，dataflash的flash特性体现在擦除上，读/写都可以按EEPROM的特性操作。

①也是有页的，体现在擦除接口中，至少擦256字节，即按页擦除。在读/写时，对应用层来讲，和EEPROM的使用一致，可以单字节读/写。

②读/写接口中的起始地址按接口注释，要求4字节对齐。擦除地址要求256字节对齐，即按页对齐。读/写长度都可以做到单字节。

③若写入的目标地址中已有数据，则必须要擦除。由于可以单字节操作，若写入的目标地址已经是擦除状态，即硬件层flash中全1，是可以直接写的。

下方代码举例：