您好，我想问一下这两种flash的擦除有什么区别吗？有什么擦除地址限制或者用法区分什么的，还是说这两个都可以使用？
天气之子 发表于: 2023-12-20 13:09:12
1#

如题：

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TECH62 发表于: 2023-12-20 16:02:43
2#

您好，EVT例程中两种FLASH操作方式分别使用了标准编程和快速编程，相较于标准编程，快速编程的速度会更快一些。关于这两种编程方式的区别，具体可以看应用手册的介绍，如下图。在进行FLASH操作时，两种编程方式都是可以使用的。下面链接为应用手册下载链接，里面有FLASH操作流程的介绍，可以看一下。

https://www.wch.cn/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html 

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天气之子 发表于: 2023-12-20 16:07:19
3#

注：快速编程相关函数，仅可放在零等待区 FLASH 中。

这个零等待区 FLASH ，是指哪一块flash内存呢

TECH62 发表于: 2023-12-20 16:53:04
4#

您好，零等待区域，就是指你实际配置的FLASH大小。以CH32V208为例，FLASH、RAM大小配置有128+64、144+48、160+32三种，当你配置128+64，那么128就是零等待区域，若配置160+32，则160就是零等待区域，具体可看数据手册介绍，如下图。CH32V208数据手册下载链接如下：

https://www.wch.cn/downloads/CH32V208DS0_PDF.html 

image.png


天气之子 发表于: 2023-12-20 17:36:31
5#

好的非常感谢，谢谢指导！

天气之子 发表于: 2023-12-21 09:12:58
6#

您好还有一个问题我想请教一下，我看手册上说明，使用标准闪存编程是以单次2字节方式执行编程，我有一点疑问。




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TECH62 发表于: 2023-12-21 09:54:23
7#

您好，FLASH编程仅支持2字节编程或256字节编程，不支持单字节编程方式，可以单字节读。

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