CH32x035-F8U6待机模式电流过高

现象:使用CH32x035-F8U6芯片进入待机模式,电流2.6mA,电流过高;

测试情况:

测试板子用的是VCC电压5V,启用了USB功能,对比Standby_Mode例程,发现测试程序初始化时,USBFS_Device_Init(enable,...)函数里面会将AFIO->CTLR寄存器的USB_PHY_V33清0,启用LDO降压功能,会导致进入待机模式电流过高;

尝试在USBFS_Device_Init(enable,...)函数里面不启用LDO降压功能,进入待机模式后电流下降到70uA;

判定待机高电流是启用LDO降压功能引起的;

尝试在进入待机模式时调用USBFS_Device_Init(disable,...)函数,并将AFIO->CTLR寄存器的USB_PHY_V33置1,无法降低待机电流;

问题:以上情况如何降低待机电流?


您好,为降低电流功耗,可以将所有不用的IO引脚全部设置成下拉输入模式,注意要开启PWR时钟。在CH32X035 EVT中有待机模式的例程,可以参考一下。EVT下载链接如下,后续若有问题,可邮箱(lzs@wch.cn)和我沟通。

https://www.wch.cn/downloads/CH32X035EVT_ZIP.html

 


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