从网页上产品选型表格看，CH32V203C8T6的FLASH是64K，SRAM是20K。

但手册如下，手册上备注１写的：闪存表示的是零等待运行区域，非零等待区域对于V203是224K？

没看太懂。

这个芯片，如果我自己写程序，那程序最终烧录到芯片里，限制多大，64K？还是224K？还是64+224K？还是224-64=160K?

看底下这张图，Code FLASH是从0x800 0000开始，这样看，应该是　0等待　和　非０等待　总共224K?

那正常写程序，如果说我程序大小超过６４K，具体在FLASH里边怎么存放，都是自动的是吧。

还有上边型号对比表格　的注释２：CH32V203RB，128K FLASH+64K SRAM。还可以重新配置？

假如分配为 144K FLASH+48K SRAM,　那多出来的16K　FLASH，存在哪里？掉电也能保存？

问题比较多，感谢感谢！

您好，关于你的问题：CH32V203 FLASH的实际大小为224K，分为零等待区域和非零等待区域。以CH32V203C8T6为例，零等待区域大小为64K，非零等待区域大小为224-60=164K。一般建议程序烧录文件的大小不要超过零等待区域大小，但如果超过了，比如零等待区域大小64K，而你的固件大小70K，前64K会放在零等待区域，后6K会放在非零等待区域。非零等待区域的代码运行速度会慢，一般不建议超过非零等待区域，非零等待区域可以存放一些数据之类的。CH32V203RB的FLASH、RAM大小是可以重新配置的，多出的16K还是在FLASH里，只是非零等待区域变大了，可以掉电保存。后续若有问题，可以邮箱（lzs@wch.cn）沟通。

那也就是说CH32V203C8T6的224-64=160K可以放数据的是吧？会一直是224K吗？还是说暂时是224K，后面的批次就没了？

清楚了，学习了。

您好，@JikiMo，非零等待区域可以存放数据，也可以将对运行速度没有要求的函数放在该区域内。FLASH的大小目前没有修改计划。

我很早之前测试过CH32V203C8T6的额外赠送闪存。

https://zhuanlan.zhihu.com/p/614125936