我想用内部FLASH 保存几十个自己的数据，但是我尝试写入的时候发现写入时间需要4-5S才能完成。
uint32_t secpos; /* 扇区地址 */
uint16_t secoff; /* 扇区内偏移地址(16位字计算) */
uint16_t secremain; /* 扇区内剩余地址(16位字计算) */
uint16_t i;
uint32_t offaddr; /* 去掉0X08000000后的地址 */
if (waddr < STM32_FLASH_BASE || (waddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
{
return; /* 非法地址 */
}
FLASH_Unlock(); /* FLASH解锁 */
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP |FLASH_FLAG_WRPRTERR);
offaddr = waddr - STM32_FLASH_BASE; /* 实际偏移地址. */
secpos = offaddr / STM32_SECTOR_SIZE; /* 扇区地址 0~255 for STM32F103ZET6 */
secoff = (offaddr % STM32_SECTOR_SIZE) / 2; /* 在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.) */
secremain = STM32_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; /* 扇区剩余空间大小 */
if (length <= secremain)
{
secremain = length; /* 不大于该扇区范围 */
}
while (1)
{
flash_read(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, g_flashbuf, STM32_SECTOR_SIZE / 2); /* 读出整个扇区的内容 */
for (i = 0; i < secremain; i++) /* 校验数据 */
{
if (g_flashbuf[secoff + i] != 0XFFFF)
{
break; /* 需要擦除 */
}
}
if (i < secremain) /* 需要擦除 */
{
FLASH_ErasePage(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE); //Erase 4KB
for (i = 0; i < secremain; i++) /* 复制 */
{
g_flashbuf[i + secoff] = pbuf[i];
}
flash_write_nocheck(secpos * STM32_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, g_flashbuf, STM32_SECTOR_SIZE / 2); /* 写入整个扇区 */
}
else
{
flash_write_nocheck(waddr, pbuf, secremain); /* 写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. */
}
if (length == secremain)
{
break; /* 写入结束了 */
}
else /* 写入未结束 */
{
secpos++; /* 扇区地址增1 */
secoff = 0; /* 偏移位置为0 */
pbuf += secremain; /* 指针偏移 */
waddr += secremain * 2; /* 写地址偏移(16位数据地址,需要*2) */
length -= secremain; /* 字节(16位)数递减 */
if (length > (STM32_SECTOR_SIZE / 2))
{
secremain = STM32_SECTOR_SIZE / 2; /* 下一个扇区还是写不完 */
}
else
{
secremain = length; /* 下一个扇区可以写完了 */
}
}
}
FLASH_Lock();; /* 上锁 */
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