[size=4]请问CH372单片机端，是否单片机给read或write引脚给一个低电平单片机就能读取或写出一个字节。是低电平触发呢还是下降沿触发？高手请帮我确认一下。[/size][Emot]27[/Emot]

读写一个字节有读时序和写时序,也就是说还有片选CS#,地址线A0有关. 读写信号线是低电平有效.

[size=4]CH372单片机端具体是怎样控制达到一字节一字节的读写数据的？也就是说时序是怎样的，请具体一点讲。

好比说先令A0=1（现在可以写命令了 且CS=0）, 再令8位数据总线=28H（从当前USB中断的端点缓冲区读取数据块并释放当前缓冲区命令代码 假设已获取下传成功中断）， 再令WR=0（将命令数据写入了CH372 仅一字节）， 再令A0=0（现在可以读写数据了）， 再先令WR=1后令RD=0（从CH372读取第一字节 后续数据流长度）， 再先令RD=1后令RD=0（从CH372读取第一字节数据）， 再先令RD=1后令RD=0（从CH372读取第二字节数据）， ……

不知道我说的是否正确，请高人指点！ [/size][Emot]9[/Emot]

模拟并口的三个读写子程序你可以参考下面的时序：

写命令： 向并口输出数据、A0=1 ；注意，A0一定要在CS和WR变化之前 CS=0和WR=0 延时几十纳秒 CS=1和WR=1 I/O禁止输出、A0=0 ；注意，A0一定要在CS和WR变化之后，建议操作完后的A0默认为低电平 延时2um

写数据： 向并口输出数据、A0=0 CS=0和WR=0 延时几十纳秒 CS=1和WR=1 ；如果A0默认为低电平，则一定要注意，A0不能早于CS和WR为高电平 I/O禁止输出 延时2um

读数据： 并口I/O方向设为输入 A0=0 ；注意，A0一定要在CS和WR变化之前，如果A0默认为低电平则此处可省掉 CS=0和RD=0 延时几十纳秒 ；对于低速单片机无所谓，对高速单片机很关键，要让并口有20nS的准备时间 从并口输入数据 CS=1和RD=1 延时1um