在376EVT例程中看到好几种延时,有时延1.5us,有时0.5us,有时0.6us。 但是很多都被注释掉了。 那么,这些岩石是必须的吗?这是芯片内部处理需要用的时间吗? 为何注释掉? 这些延时,为何在手册里没有说到?
热门产品 :
CH32V317: 互联型青稞RISC-V MCU
在376EVT例程中看到好几种延时,有时延1.5us,有时0.5us,有时0.6us。 但是很多都被注释掉了。 那么,这些岩石是必须的吗?这是芯片内部处理需要用的时间吗? 为何注释掉? 这些延时,为何在手册里没有说到?
用376字节模式写SD卡,莫非我每向376写一个字节,它就向SD卡写一个字节? 或者每次中断,我读出允许写的字节数,然后写入这样多的字节数以后,376就向SD卡写入中写字节? 这样,每写一个字节后的延时,与写一批字节后的延时将是不一样的?
你说的这些延时都是必须的,之所以注释掉是因为51单片机速度较慢,执行一个指令就已经朝服哦1。5US了,所以就注释掉了。 写SD卡不是每次只写一个字节,和你写入的字节数有关系,例如你写20个字节则写完之后一次更新,如果你写513个字节,则分2次写。