CH341A系列写数据时的缓冲区只有4Kbit,能否提高到4Mbit? 这样连续写入速度会大幅提升

CH341DLL.H中有如下定义:

#define  mMAX_BUFFER_LENGTH  0x1000  // 数据缓冲区最大长度4096


缓冲区最大长度4K,连续写入4M时,需要多次调用CH341MemWriteAddr1()此函数,导致写入4K数据的时间远小于函数调用的时间间隔,正常写入速度时400Kbit/s,多次调用写入函数写入4M大于10秒了。


如果能连续写入就可控制在2秒以内,各位高手有没有好的建议?

直接修改这个定义如下:#define  mMAX_BUFFER_LENGTH  0x10000000 已尝试不可行,仍然是4K

提高CH341的连续写入和读取的速度,执行CH341的MemWriteAddr函数的时间间隔有点长(大于4ms),请WCH厂家技术人员有没有好的解决方案答复一下,谢谢,就算没有也请答复一下。


您好,确认了下,目前该大小在驱动中也有限制,所以单次通讯的长度仅支持最大4096字节。若是连续读写多次调用API,理论上系统的延迟很小的,API返回后你的软件不用主动delay,循环调用1000次然后退出看下整体时间。


谢谢,连续读写多次调用API,时间间隔与电脑配置有点关联,但还是毫秒级,另想办法。


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