现在在使用CH571，有几个疑问需要确认：
1. 内部RTC如何进行温度补偿？ 我的想法是通过晶振温度取消累加到30秒，对R16_RTC_CNT_32K进行调整，太频繁我任务会影响计数，导致误差更大。
2.如果上面的补偿可行，那么我利用1秒的周期中断，通过一个IO输出秒脉冲，29秒是未补偿的，第30秒是补偿后的秒脉冲，通过平均，是否可以反应我RTC的误差？
通过中断输出的秒脉冲是否对精度有影响？ 或者官方有更好的版本或者方案
关于温度，如果做晶振温度曲线补偿，那么芯片内部的温度传感器的精度是多少？资料说是10度？真的这么差吗？
如果真的这么差，那是否采用贴片热敏电阻，通过AD测量，可以获取到较高精度？
谢谢
CH571/573的内部低频时钟校准, 本身是支持定时强制校准的,在BLE的历程里面,config.h 文件中有个宏BLE_CALIBRATION_PERIOD 即为强制定时校准的间隔,这个值的单位是ms,默认是2分钟.
这个宏最终是在HAL_Init 函数中调用,并且开启一个定时的任务,如果使能了内部的rc 将会定时强制校准内部时钟 Lib_Calibration_LSI(); (在EVT>EXAM>BLE>HAL>MCU.c 文件中调用), 芯片专门设计了通过一定周期的RTC的cnt变化,记录高频时钟的变化次数的计数器, 可以参考这个代码的实现, 来了解芯片内部的低频RC校准原理.
另外,ble在初始化时候,也传入了获取温度,和内部低频rc校准的函数,
默认在(在EVT>EXAM>BLE>HAL>MCU.c 的函数CH57X_BLEInit 中)
至于芯片内部的温度sensor的精度,
实际上,sensor测量的绝对误差很大程度上取决于生产校准. 专门设计用于准确测量的sensor是在生产时通过若干严格校准的点的值来修正测量结果,最终实现高准确度(accuracy)和高精密度(precision)的. 而这些往往直接影响到芯片的最终成本.
CH571/573 其内部温度sensor设计的目的,是满足内部模块受温度影响时校准使用的, 具备比较一致的线性度, 这也正符合绝大多的校准只关心温度变化量,而并不关心测量结果的绝对误差这一特点.
我采用的是外部32.768K的晶振，因为内部RC即使校准也达不到理想的精度要求。 在使用外部比如5PPM的晶振，那么在-40~80°的范围内，需要进行补偿。
我的要求是在整个温度范围内，24小时每度0.15秒以内的误差。 我会根据每秒种的温度进行误差累积（预先确定32.768晶振的温度曲线表格），并在一定时间后修正LSE。
所以，整个RTC运行和补偿没有HSE的参与。
但是补偿是否正确，需要有一个可以检测的秒脉冲，我的想法是通过补偿后的周期定时器，输出到IO进行验证。（外部有专门的时钟误差测试仪器）
2.如果芯片没有对温度进行出厂标定，那么温度线性符合即可，我可以在常温下对温度进行校准。如果温度校准后，温度测试的线性误差能够做到多少？±1°？
3. 温度传感器的的AD值和温度是否有转换关系的算法？ 假设温度通道误差已经校准， 斜率是否有现成的？ 我只需要校准单点温度。 因为实际中，校准常温误差是比较方便的。
