在参考v307的datasheet时，发现了一个问题，v307的ram和rom可以配置四种模式组合，看codeflash最大有480k(Includes 0 wait and non-0  waiting areas)，分为了零等待区和非零等待区，那么请问：

1、这个非零等待区的地址是从哪里开始算的？

2、非零等待区的flash擦写有哪些需要注意的？

3、非零等待区的读写速度如何，打算用这一部分存储参数信息。

仅个人意见。

看文档的意思实际上就是通过使用相同容量的SRAM作为ROM的映射的方式来提高读取速度，实现零等待。

1. 从哪里开始算就看配置，0x0800000+ROM容量，非零擦写跟前面一样。192K足够的话，就直接拿不可能做ROM的后192K来做存储就是。

2. 擦写没啥注意的，实际都是一样的flash，感觉内部逻辑比前面的零等待更简单。

3. 个人没测试过，写速度应该跟前面的ROM部分没啥区别，读会慢很多吧。