CH579M  数据FLASH内只能写一个双字，再写下一个地址双字数据无法写入，使用库文件中的写数据函数！

写入的双字无法擦除，无论重写还是擦除，内部数据仍在！

  程序如下：

                        MEM_MACADDR ： 0x3ee10

                         memdata[0] = PeerAddrDef[0]+((uint32_t)PeerAddrDef[1]<<8)+((uint32_t)PeerAddrDef[2]<<16)+                                                       ((uint32_t)PeerAddrDef[3]<<24);

memdata[1] = PeerAddrDef[4]+((uint32_t)PeerAddrDef[5]<<8)+(UINT32)0x55cc0000;

memdata[2] = 0x33445566;

memdata[3] = 0x33445566;

ptr = memdata;

ENTRY_LRNST = 0x55;

FlashBlockErase(MEM_MACADDR);

FlashWriteBuf(MEM_MACADDR,ptr,16);

                       有劳指点！！！！！

另说明一下：

                  对程序每一次双字数据写入跟踪！每次都 是成功的，但读出仍是原数据！！！！

flash擦的起始地址需要512字节对齐，MEM_MACADDR ： 0x3ee10设置为3ee00试试。

试了！结果数据写都不能写进了！真奇了！0x3e800-0x3ffff 不是数据存储区域？？？

写入数据当前写入只有每一个字（4byte），重上电数据变成0xffffffff, ???????????

0x3e800-0x3ffff 是dataflash区域，可以掉电保存的，

如果仍然不可以，建议先跑下例程。

抱歉了！掉电不保存是因为我加了上电擦除程序引起！但只能烧一个字是什么原因，是否连续烧写需加延时1.6mS？

检查读过flash之后写的时候有没有将地址修改回你想操作的起始地址，将你的工程发到hy@wch.cn,我帮你看下吧。

工程已发！存储问题是地址问题（32位地址指针+4了，应+1）！但还有另一个问题有劳瞅一下！！！！！