芯片为 582M. 问题随机且可复现.
基于 1.5版本EVT中的BLE \Peripheral 工程进行修改
测试硬件为 CH582M-R0-1V0.
创建test任务. 循环事件里面 进行简单的io测试
创建定时器中断 也进行简单的io测试.
tmos的循环事件里面操作 PB12/13/14/15/16
中断里面操作PB17
异常:
测量 PB17波形.
波形应该是 每间隔20ms 出现一个短暂的高电平, 持续100us
实测会出现一段异常的高电平.
波形方大后 如下:
整个工程, 只有在定时器中断里面操作了 PB17.
个人猜测 是不是tmos里面操作 PB上的其他bit 影响到了PB17.
该现象出现的间隔是随机的. 1到3分钟可以抓到一次.
测试工程:
帮忙验证处理一下