关于CH582晶振参数的选择
  1. 寄存器配置的负载电容如何理解

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如上图:0001b-1111b对应13pf-27pf是不是可以理解为1个值大致对应1pf步进量,复位值为1100b根据公式 电容量 = RB_XT32K_C_LOAD + 12pF 即12pf+12pf=24pf,即单片机默认负载电容配置的是24pf ?

同理32Mhz的默认负载电容约22pf?


2.晶振的参数比如ppm  esr 负载电容等针对本款芯片应该如何区选择这些参数?



您好,对于问题一,可以如上理解,不过外部32M晶振对应内置负载电容复位值为16pf。调用HSECFG_Capacitance(HSECap_XX);可配置外部32M晶振相应负载电容。

对于问题二,我司评估版选用的物料参数如下↓

32MHZ10PPM12PF
32768
20PPM12.5PF


32M的负载电容公式中有*2所以算出来是22pf左右

image.png


这个内部负载电容就是相当于并联于晶振上的负载电容吗还是和外部负载电容一样需要除以2才是实际并联的电容值?

按推荐的晶振参数来看就需要配置内部负载电容?


您好,32M晶振对应的内部负载电容配置寄存器相关位,复位值是3。

和外部负载电容一样需要经过公式计算得到晶体参数中的负载电容值。

按推荐的参数选取晶振,就不用再做配置,复位值就可以。


好的,感谢!

其它没问题了

关于32M的是这样的。按照手册10pF-24pF正好对应2pF的步进值 按照公式2*3*2+10=22pf


步进2pf在公式里面已经有*2了,为什么要再*2,要是全1,2*7*2+10=38,都超过范围了,应该是3*2+10=16pf


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